门电路（Gate Circuit）
门电路是指以实现基本逻辑关系和复合逻辑关系的电子电路。
高电平和低电平的含义
高电平和低电平为某规定范围（由门电路的种类决定）的电位值，而非一固定值。
若无特殊声明，在日常生活中均以正逻辑体制来表示高低电平。
二极管的开关特性
本征半导体
导体基本概念：
导体：自然界中容易导电的物质。
绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电。
半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质。
现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，最外层电子（价电子）都是4个。
本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其他原子位于四面体的顶点，每个原子与其相邻的原子之间形成共价键，共用一对价电子。
共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，导电能力很弱。
本征半导体的导电机理
载流子、自由电子和空穴
在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时，价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带点粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。
在常温下，由于热激发（本征激发），使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。
导电机理
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。
本征半导体中电流由两部分组成：
- 自由电子移动产生的电流。
- 空穴移动产生的电流。
温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度使影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点—温敏特性。
本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。
N型、P型半导体
在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素），形成杂志半导体—掺杂特性。
掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电称为这种半导体的主要导电方式，称为电子半导体或N型半导体。
在N型半导体中自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
而掺杂后空穴数目大量增加就称为空穴半导体或P型半导体。
在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
无论N型和P型半导体都是中性的，对外不显电性。
将PN结与管壳和引线所结合就形成了二极管，符号如图1-5所示。
二极管的静态开关特性
当输入电流为低电平时，二极管反向截至，相当于开关断开。而输入电流为高电平时，二极管正向导通，可等效于具有0.7V压降的闭合开关（相当于越过0.7V死区电压）。
MOS管的开关特性
场效应晶体管只有一个载流子（多数载流子）参与导电，又称为单极型三极管。场效应晶体管是利用电场（电压）控制半导体中载流子运动的一种有源器件。目前场效应管应用最多是以二氧化硅作为绝缘介质的金属—氧化物—半导体绝缘栅型场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect Transistor），简称MOS管。
